最近关于芯片制造工艺的事儿又成了IT数码圈里新闻最集中的热点，什么Intel公布2nm计划啦，加工厂的4nm工艺可能是5nm啦，NV的4nm CPU不如Zen2（7nm）啦……等等。更早的还有所谓14nm堆叠相当于7nm一类的，看得人晕都转向，还疑窦丛生。到底制程是啥东西，上面这些新闻是真是假？咱们今天就尝试用最简单的方式解释一下吧。
首先当然是一切的源头，所谓的多少nm到底说明了啥？我们其实可以不去考虑什么栅极一类的说法，因为它的样子最近有了很多变化。这一数据的真正含义就是芯片内各种刻线，或者说显微结构下的“沟渠”宽度。而光刻机的任务就是用光线融掉相应位置的光刻胶，然后用药水腐蚀没有光刻胶保护大流量套餐的位置，就出现了刻线，所以刻线宽度与光刻机的精度关系最大。
那么，为啥这么简单的宽度问题还有很多争议呢？咱们就一项一项说吧。首先是工艺的标称问题，化学方法蚀刻的沟槽肯定不会像凿子一样直上直下，而不同厂商使用的宽度采集标准不同，是量开口还是底部或中央？宽度常常是不同的。反映到实际效果上，Intel后期的14nm工艺和其他厂商的7nm工艺比较，看起来相差也就是1.5倍而没有2倍那么多。
而且芯片设计可不是用了优秀工艺制程这种“细画笔”就行，毕竟以同样的细线条，画得精细自不必说，直接画个简单粗糙的图形也不是不可以。加上芯片架构的设计效率等问题，同样制程下的同类芯片集成度、实际性能会有很大差别就一点都不奇大流量套餐怪了。
还有一个说法要解释一下，也就是14nm堆叠相当于7nm这事儿。它有很多不同的解读，其中就有一种涉及了工艺，也就是用生产14nm芯片的光刻机等设备，通过优化，配合更好的光路设计、光刻胶等材料，来生产7nm芯片。比如从65nm到28nm芯片，就可以使用同一种光刻机，或者说至少是同一种光刻核心——光源。
但是光源的制造线宽是有极限的，如果一种光刻机的光源配置初始设计就是最多下探到14nm，要拿来勉强生产7nm芯片的话，就可能造成芯片隐患增多，良品率不高的问题。比如用更适合7nm等精细工艺的光刻机，与勉强可生产7nm芯片的旧式光刻机对比，芯片的制造效果差别就非常大。
但现在的问题是，芯片的电路正在走大流量套餐向立体化、高效率的FinFET等设计，需要更多的层数和准确布线，这就必须使用更精细准确的工艺才能实现。这就是为什么现在我们的工程人员即使已经搞定了全线28nm甚至14nm工艺设备材料，仍需要研制EUV乃至更强的光刻机等设备，探索不能停止的原因。
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